良率超中国台湾厂，台积电亚利桑那工厂进展比想象好

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台积电美国工厂试产良率赶超 本厂。

周五，据彭博社援引知情人士消息，美国分部总裁Rick Cassidy于周三透露，台积电的已超出其中国 同级厂房约4个百分点。

良率指生产芯片中合格产品的比例，是半导体行业的关键衡量标准之一。一般来说，良率越高，生产率越高。

在上周的财报电话会上，台积电董事长魏哲家曾表示：

“我们（在美国）的 座晶圆厂已于4月开始采用4nm制程技术进行工程晶圆生产，结果 令人满意，良率 高。”

根据规划，台积电将在美国亚利桑那州凤凰城建设三座，其中晶圆一厂（Fab21）是4nm制程晶圆厂，晶圆二厂则是3nm晶圆厂，三厂则预计在本世纪20年代底（2029-2030年）采用2nm或更先进的制程技术进行生产。

台积电原计划在2024年让其首座亚利桑那州工厂 投产，但由于缺乏熟练工人，将这一目标推迟到了2025年，并将二厂的启动日期从2026年推迟至2027-2028年。这一举措曾引发对台积电生产效率的担忧。

目前，魏哲家对美国工厂前景持乐观态度，他在上周的电话会上表示：

“我们现在预计 家工厂将于2025年初开始量产，并有信心让亚利桑那州工厂实现与 厂相同水平的制造质量和可靠性。”