长江存储突破美国封锁，芯片国产化成功

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据彭博社援引行业权威分析机构TechInsights的 报道，面对美国严苛的出口限制及实体清单的严峻挑战，中国存储芯片巨头长江存储展现出了非凡的韧性与创新能力。

公司成功实现了关键生产设备的国产替代，利用本土技术资源制造出了高性能的3D NAND闪存芯片，标志着中国在高端存储芯片领域迈出了坚实的一步。

长江存储的这一壮举不仅打破了国外技术封锁的桎梏，更以自研的Xtacking架构引领行业潮流。

该架构能够实现高达232层的3D NAND堆叠，与国际顶尖制造商如镁光、三星、SK海力士等相媲美，展现出强大的技术竞争力和市场潜力。

回顾一下，2022年10月，限制先进半导体设备对华出口，随后将中国3D NAND Flash制造商长江存储列入实体清单。

对长江存储的制裁，美国根本就懒得找借口，属于装都不装那种。中国也做出了对等回应，随后就被中国收拾了。